Toshiba loods twee 80V N-kanaal-kragstowwe
Daar word beweer dat die toestelle geskik is vir kragtoepassings, waar 'n lae-verlies-werking belangrik is, insluitend AC-DC en DC-DC-omskakeling in datasentrums en kommunikasiebasisstasies, sowel as toerusting vir motordrywing. 
Beide die TPH2R408QM en TPN19008QM vertoon 'n vermindering van ongeveer 40% in die drein-bron-weerstand (RDS (ON)) in vergelyking met die ooreenstemmende 80V-produkte in vroeëre prosesse soos U-MOSVIII-H, volgens Toshiba.
Die TPN19008QM het 'n RDS (AAN) waarde van 19mΩ (maks.), Terwyl die TPH2R408QM waarde 2.43mΩ is.
Die maatskappy sê dat dit die struktuur van die toestel geoptimaliseer het, en die uitruil tussen RDS (AAN) en heklading-eienskappe met tot 15% verbeter het en die inruiling tussen RDS (AAN) en uitsetlading met 31%.
Die mosfets word in buitepakketpakkette gehuisves en beoordeel vir 'n afvoerbronspanning van 80V.
Dit werk by kanaaltemperature tot 175 ° C.
Die TPN19008QM is aangewese vir 'n afvoerstroom van 34A en word gehuisves in 'n 3,3 × 3,3 mm TSON-pakket, terwyl die TPH2R408QM vir 120A gegradeer is en in 'n 5x6mm SOP-pakket gehuisves word.